EETOP消息，据外媒《Anandtech》报道，如今，最先进的芯片采用 5/4 纳米级工艺制造，使用 EUV 光刻 ASML 的 Twinscan NXE:3400C（和类似）系统，具有 0.33 数值孔径 (NA) 光学器件，可提供 13 nm 分辨率。该分辨率对于 7 nm/6 nm 节点（间距为 36 nm ~ 38 nm）和 5nm 节点（间距为 30 nm ~ 32 nm）的单一曝光技术已足够。但随着间距低于 30 nm（超过 5 nm 节点），3纳米分辨率加双重曝光技术，将是未来几年内主流技术应用。
对于后 3nm 节点，ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 工具——TwinscanEXE:5000 系列——具有 0.55 NA（高 NA）透镜，能够实现 8nm 分辨率，使3纳米及更先进节点制程尽可能避免使用双重或多重曝光。
新的高 NA 光刻机仍在开发中，预计它们将非常复杂、非常庞大且价格昂贵——每台的成本将超过 4 亿美元（约合27亿RMB）。据悉光运送该设备就需动用三架波音747。High-NA EUV 光刻曝光设备不仅需要新光学器件，还需要新光源材料，如德国蔡司 （Carl Zeiss） 真空制造的抛光、超光滑曲面镜组成的光学系统，甚至还需要更大厂房容纳机器，都需要庞大投资。
但为了保持半导体的性能、功率、面积和成本 (PPAc)，领先的逻辑芯片和存储设备制造商愿意采用新技术，而高 NA EUV光刻机对于后 3nm 至关重要节点。因此，对高 NA s设备的需求非常高。
将交付 10 至 20 个高 NA 系统
几周前，ASML 透露 ，它在 2022 年第一季度收到了来自逻辑和 DRAM 客户的高 NA Twinscan EXE:5200 系统（EUV 0.55 NA）的多份订单。
《路透社》报道，ASML说明取得5笔High-NAEUV微影曝光设备先导型订单，预定2024年交货。 另有超过5笔订单是2025年开始交货的量产型型号。
早在 2020~2021 年，ASML就表示收到三家客户 High-NA EUV 微影曝光设备意向订单，数量多达 12 套系统。可肯定的是，英特尔、三星和台积电等必然拿下 2020~2021 年试生产的 High-NA EUV 光刻曝光设备。ASML已为Imec生产首个High-NA EUV光刻曝光设备，预计2023年完成用于研发。
不久前，ASML执行长Peter Wennink表示，High-NA EUV光刻光曝光设备取得良好进展，已开始于荷兰新无尘室打造第一部High-NA EUV光刻曝光设备。 第一季度ASML收到多份EXE： 5200订单，5月也收到其他EXE：5200订单。 目前有三个逻辑芯片和两个内存客户订单。 未来设备交货将为曝光微影技术性能和生产力提供更多发展。
ASML的 TwinscanEXE:5200 比常规Twinscan NXE:3400C 机器复杂得多，因此构建这些工具需要更长的时间。该公司希望在未来中期能够提供多达20 台 High-NA 系统，这可能意味着其客户将不得不为这些机器展开竞争。
“我们还在与我们的供应链合作伙伴讨论，以确保在中期内拥有约20 个 EUV0.55NA 系统的产能。”Wennink说。
英特尔率先采用预生产设备
到目前为止，唯一确认使用ASML 的High-NA 工具的工艺技术是 英特尔的 18A 节点，该节点曾计划在 2025 年进入量产，大约是 ASML 开始交付其生产的 High-NAEUV 系统的时间。但最近英特尔将18A 的生产时间推迟到2024 年下半年，并 表示 可以使用 ASML 的 TwinscanNXE:3600D 或NXE:3800E 进行18A 制造，这大概是通过多重曝光模式来实现。
到目前为止，唯一确认使用ASML High-NA EUV光刻曝光设备的是英特尔18A制程节点。英特尔计划2025年进入批量生产阶段，ASML也约那时开始交付High-NA EUV设备。但最近英特尔已将18A生产规划延到2024年下半年，并表示可用ASML Twinscan NXE：3600D或NXE：3800E生产，显示可能借多重曝光模式达成High-NAEUV设备的效果。
虽然英特尔18A制程技术会大大受惠于High-NA EUV微影曝光设备，但也代表完全离不开Twinscan EXE：5200设备。虽然英特尔18A制程技术不一定需要新机器，但多重曝光模式意味必须冒更长产品生产周期、更低良率以更低获利风险，这将使英特尔更难与对手竞争。英特尔一定也希望 18A 制程节点尽快到来，重拾往日荣耀，好从台积电手中夺回晶圆代工领头羊的地位。其他领先半导体制造商台积电、三星、SK海力士和美光等，也不可避免采用High-NA EUV微影曝光设备生产，但唯一问题是究竟何时会发生。
